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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD042P03L3GATMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD042P03L3GATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD042P03L3GATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD042P03L3GATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD042P03L3GATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40059

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD042P03L3GATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD042P03L3GATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD042P03L3GATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD042  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD042P03L3GATMA1

Proprietà del prodotto IPD042P03L3GATMA1 IPD040N03LG IPD046N08N5ATMA1 IPD048N06L3G 048N06L
Modello di prodotti IPD042P03L3GATMA1 IPD040N03LG IPD046N08N5ATMA1 IPD048N06L3G 048N06L
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Serie OptiMOS™ OptiMOS® 3 OptiMOS™ -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 80 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 15 V 3900 pF @ 15 V 3800 pF @ 40 V -
Numero di prodotto di base IPD042 - IPD046 -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 4.6mOhm @ 45A, 10V -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 270µA 2.2V @ 250µA 3.8V @ 65µA -
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 79W (Tc) 125W (Tc) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V -

IPD042P03L3GATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD042P03L3GATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD042P03L3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Packaging PCN
Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf

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