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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB80N06S2L09ATMA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB80N06S2L09ATMA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB80N06S2L09ATMA2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB80N06S2L09ATMA2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB80N06S2L09ATMA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB80N06S2L09ATMA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB80N06S2L09ATMA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 125µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.2mOhm @ 52A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB80N  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA2

Proprietà del prodotto IPB80N06S2L09ATMA2 IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L-11 IPB80N06S3-05
Modello di prodotti IPB80N06S2L09ATMA2 IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L-11 IPB80N06S3-05
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V 3160 pF @ 25 V 2075 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPB80N IPB80N - IPB80N
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 210W (Tc) 158W (Tc) 165W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 125µA 2V @ 150µA 2V @ 93µA 4V @ 110µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 8.2mOhm @ 52A, 10V 6.7mOhm @ 60A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 5.1mOhm @ 63A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ CoolMOS™ OptiMOS™
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2

IPB80N06S2L09ATMA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB80N06S2L09ATMA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB80N06S2L09ATMA2 - Infineon Technologies.

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