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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB64N25S320ATMA1
IPB64N25S320ATMA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB64N25S320ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB64N25S320ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB64N25S320ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB64N25S320ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7823

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB64N25S320ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB64N25S320ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB64N25S320ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB64N25  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1

Proprietà del prodotto IPB64N25S320ATMA1 IPB60R520CP IPB60R385CP IPB65R099C6ATMA1
Modello di prodotti IPB64N25S320ATMA1 IPB60R520CP IPB60R385CP IPB65R099C6ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 66W (Tc) 83W (Tc) 278W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) 6.8A (Tc) 9A (Tc) 38A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 630 pF @ 100 V 790 pF @ 100 V 2780 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPB64N25 - - IPB65R099
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 600 V 600 V 650 V
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V 385mOhm @ 5.2A, 10V 99mOhm @ 12.8A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 340µA 3.5V @ 1.2mA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 127 nC @ 10 V

IPB64N25S320ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB64N25S320ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB64N25S320ATMA1 - Infineon Technologies.

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