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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB530N15N3GATMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB530N15N3GATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB530N15N3GATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB530N15N3GATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB530N15N3GATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 45261

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB530N15N3GATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB530N15N3GATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB530N15N3GATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 35µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 53mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 887 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB530  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB530N15N3GATMA1

Proprietà del prodotto IPB530N15N3GATMA1 IPB50R250CP IPB60R060C7ATMA1 IPB50R199CP
Modello di prodotti IPB530N15N3GATMA1 IPB50R250CP IPB60R060C7ATMA1 IPB50R199CP
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base IPB530 - IPB60R060 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 887 pF @ 75 V 1420 pF @ 100 V 2850 pF @ 400 V 1800 pF @ 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 35µA 3.5V @ 520µA 4V @ 800µA 3.5V @ 660µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 13A (Tc) 35A (Tc) 17A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 53mOhm @ 18A, 10V 250mOhm @ 7.8A, 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 D2PAK (TO-263) PG-TO263-3-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 10V 10V -
Caratteristica FET - - - -
Serie OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ C7 CoolMOS™
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) 114W (Tc) 162W (Tc) 139W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 500 V 600 V 500 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPB530N15N3GATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB530N15N3GATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB530N15N3GATMA1 - Infineon Technologies.

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