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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB108N15N3G
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB108N15N3G - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB108N15N3G
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB108N15N3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPB108N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
IPB108N15N3G.pdf
In magazzino: 4210

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB108N15N3G
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB108N15N3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB108N15N3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB108N15N3G

Proprietà del prodotto IPB108N15N3G IPB10N03LB IPB107N20NAATMA1 IPB110N20N3LFATMA1
Modello di prodotti IPB108N15N3G IPB10N03LB IPB107N20NAATMA1 IPB110N20N3LFATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro - TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id - 2V @ 20µA 4V @ 270µA 4.2V @ 260µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 4.5V, 10V 10V 10V
Tipo FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs - 9.6mOhm @ 50A, 10V 10.7mOhm @ 88A, 10V 11mOhm @ 88A, 10V
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) - 30 V 200 V 200 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 13 nC @ 5 V 87 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 1639 pF @ 15 V 7100 pF @ 100 V 650 pF @ 100 V
Tipo montaggio - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) - 58W (Tc) 300W (Tc) 250W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore - PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 50A (Tc) 88A (Tc) 88A (Tc)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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