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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB093N04LG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB093N04LG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB093N04LG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB093N04LG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB093N04LG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 112900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB093N04LG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB093N04LG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB093N04LG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 77µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-263-3-2  
Serie OptiMOS™ 3  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.3mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB093N04LG

Proprietà del prodotto IPB093N04LG IPB100N04S204ATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 IPB097N08N3G
Modello di prodotti IPB093N04LG IPB100N04S204ATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 IPB097N08N3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 150 V 80 V
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) 300W (Tc) 179W (Tc) 100W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 6V, 10V
Serie OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 172 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 20 V 5300 pF @ 25 V 210 pF @ 75 V 2410 pF @ 40 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 100A (Tc) 105A (Tc) 70A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 9.3mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V 8.3mOhm @ 100A, 10V 9.7mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 77µA 4V @ 250µA 4.9V @ 134µA 3.5V @ 46µA
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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