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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB080N03LG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB080N03LG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB080N03LG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB080N03LG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB080N03LG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5020

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB080N03LG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB080N03LG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB080N03LG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™3  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB080N03LG

Proprietà del prodotto IPB080N03LG IPB072N15N3GATMA1 IPB075N04LG IPB083N15N5LFATMA1
Modello di prodotti IPB080N03LG IPB072N15N3GATMA1 IPB075N04LG IPB083N15N5LFATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO-263-3-2 PG-TO263-3
Serie OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) 300W (Tc) 56W (Tc) 179W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A 100A (Tc) 50A (Tc) 105A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 150 V 40 V 150 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 4V @ 270µA 2V @ 20µA 4.9V @ 134µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V 5470 pF @ 75 V 2800 pF @ 25 V 210 pF @ 75 V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V 7.2mOhm @ 100A, 10V 7.5mOhm @ 50A, 10V 8.3mOhm @ 100A, 10V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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