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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB06N03LA - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB06N03LA
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB06N03LA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB06N03LA G.pdf
In magazzino: 5270

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB06N03LA
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB06N03LA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB06N03LA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 40µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2653 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB06N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB06N03LA

Proprietà del prodotto IPB06N03LA IPB067N08N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 IPB065N15N3GE8187ATMA1
Modello di prodotti IPB06N03LA IPB067N08N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 IPB065N15N3GE8187ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 56 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) 136W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc) 130A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-7
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2653 pF @ 15 V 3840 pF @ 40 V 5470 pF @ 75 V 7300 pF @ 75 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 40µA 3.5V @ 73µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V 6.7mOhm @ 73A, 10V 7.2mOhm @ 100A, 10V 6.5mOhm @ 100A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 80 V 150 V 150 V
Caratteristica FET - - - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Numero di prodotto di base IPB06N IPB067 IPB072 IPB065N
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 8V, 10V 8V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB06N03LA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB06N03LA PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB06N03LA - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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