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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB049N08N5ATMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB049N08N5ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB049N08N5ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB049N08N5ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB049N08N5ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15956

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB049N08N5ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB049N08N5ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB049N08N5ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 66µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPB049  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1

Proprietà del prodotto IPB049N08N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB049N06L3G
Modello di prodotti IPB049N08N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB049N06L3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base IPB049 IPB044 IPB04N -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 300W (Tc) 107W (Tc) 115W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 40 V 8000 pF @ 75 V 3877 pF @ 15 V 8400 pF @ 30 V
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 66µA 4.6V @ 264µA 2V @ 60µA 2.2V @ 58µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 174A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 50 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V 4.4mOhm @ 87A, 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 5mOhm @ 80A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 150 V 25 V 60 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 PG-TO263-7 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3

IPB049N08N5ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPB049N08N5ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPB049N08N5ATMA1 - Infineon Technologies.

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