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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPB031NE7N3G
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPB031NE7N3G - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPB031NE7N3G
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPB031NE7N3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IPB031NE7N3G.pdf
In magazzino: 5090

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPB031NE7N3G
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPB031NE7N3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPB031NE7N3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 155µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™ 3  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 37.5 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPB031NE7N3G

Proprietà del prodotto IPB031NE7N3G IPB032N10N5ATMA1 IPB030N08N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1
Modello di prodotti IPB031NE7N3G IPB032N10N5ATMA1 IPB030N08N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-7 PG-TO263-7 PG-TO263-3-2
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V 3.2mOhm @ 83A, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 155µA 3.8V @ 125µA 3.5V @ 155µA 3.8V @ 155µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 37.5 V 6970 pF @ 50 V 8110 pF @ 40 V 8130 pF @ 37.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 166A (Tc) 160A (Tc) 100A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) 187W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 100 V 80 V 75 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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