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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPA80R650CEXKSA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPA80R650CEXKSA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPA80R650CEXKSA2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IPA80R650CEXKSA2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 43657

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPA80R650CEXKSA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPA80R650CEXKSA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPA80R650CEXKSA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 470µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3F  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)  
Numero di prodotto di base IPA80R650  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA2

Proprietà del prodotto IPA80R650CEXKSA2 IPA90R1K2C3XKSA1 IPA80R1K4P7 IPA80R310CE
Modello di prodotti IPA80R650CEXKSA2 IPA90R1K2C3XKSA1 IPA80R1K4P7 IPA80R310CE
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3F PG-TO220-FP PG-TO220-3-31 Full Pack PG-TO220 Full Pack
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 470µA 3.5V @ 310µA 3.5V @ 70µA 3.9V @ 1mA
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 900 V 800 V 800 V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) 5.1A (Tc) 4A (Tc) 16.7A (Tc)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V 250 pF @ 500 V 2320 pF @ 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 310mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc) 31W (Tc) 24W (Tc) 35W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPA80R650 IPA90R - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk

IPA80R650CEXKSA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPA80R650CEXKSA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPA80R650CEXKSA2 - Infineon Technologies.

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Assemblaggio/origine PCN
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