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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPA50R299CPXKSA1
IPA50R299CPXKSA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPA50R299CPXKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPA50R299CPXKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPA50R299CPXKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IPA50R299CP.pdf
In magazzino: 3980

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPA50R299CPXKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPA50R299CPXKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPA50R299CPXKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 440µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 550 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPA50R  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPA50R299CPXKSA1

Proprietà del prodotto IPA50R299CPXKSA1 IPA50R500CE IPA50R299CP IPA50R280CE
Modello di prodotti IPA50R299CPXKSA1 IPA50R500CE IPA50R299CP IPA50R280CE
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 1190 pF @ 100 V 773 pF @ 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 13V 10V 13V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 7.6A (Tc) 12A (Tc) 13A (Tc)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 299mOhm @ 6.6A, 10V 280mOhm @ 4.2A, 13V
Tensione drain-source (Vdss) 550 V 500 V 500 V 500 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Numero di prodotto di base IPA50R IPA50R - IPA50R
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 32.6 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 440µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 350µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) 28W (Tc) 104W (Tc) 30.4W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IPA50R299CPXKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPA50R299CPXKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPA50R299CPXKSA1 - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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