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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPA180N10N3G
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPA180N10N3G - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPA180N10N3G
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPA180N10N3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
28A, 100V, 0.018OHM, N-CHANNEL,
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IPA180N10N3G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 60530

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPA180N10N3G
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPA180N10N3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPA180N10N3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 35µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-111  
Serie OptiMOS™ 3  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 28A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPA180N10N3G

Proprietà del prodotto IPA180N10N3G IPA50R250CP IPA50R190CE IPA126N10N3G
Modello di prodotti IPA180N10N3G IPA50R250CP IPA50R190CE IPA126N10N3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 500 V 500 V 100 V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 50 V 1420 pF @ 100 V 1137 pF @ 100 V 2500 pF @ 50 V
Pacchetto Bulk Bulk Tube Bulk
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) 33W (Tc) 32W (Tc) 33W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 13V 6V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 47.2 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-31 PG-TO220-FP PG-TO220-3-111
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 28A, 10V 250mOhm @ 7.8A, 10V 190mOhm @ 6.2A, 13V 12.6mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 35µA 3.5V @ 520µA 3.5V @ 510µA 3.5V @ 45µA
Serie OptiMOS™ 3 CoolMOS™ CoolMOS™ OptiMOS™3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) 13A (Tc) 18.5A (Tc) 35A (Tc)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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