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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IMBF170R1K0M1XTMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IMBF170R1K0M1XTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IMBF170R1K0M1XTMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Scheda dati
IMBF170R1K0M1XTMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7360

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IMBF170R1K0M1XTMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IMBF170R1K0M1XTMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IMBF170R1K0M1XTMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5.7V @ 1.1mA  
Vgs (Max) +20V, -10V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7-13  
Serie CoolSiC™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1000mOhm @ 1A, 15V  
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 1000 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 12 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V, 15V  
Tensione drain-source (Vdss) 1700 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IMBF170  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IMBF170R1K0M1XTMA1

Proprietà del prodotto IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 IMBD4148-HE3-08 IMBD4448-V-GS08
Modello di prodotti IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 IMBD4148-HE3-08 IMBD4448-V-GS08
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay General Semiconductor - Diodes Division Electro-Films (EFI) / Vishay
Caratteristica FET - Standard - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc) 13A (Tc) - -
Vgs (Max) +20V, -10V +18V, -15V - -
Numero di prodotto di base IMBF170 IMBG120 IMBD4148 -
Serie CoolSiC™ CoolSiC™ Automotive, AEC-Q101 -
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) Standard -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1000mOhm @ 1A, 15V 294mOhm @ 4A, 18V - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7-13 PG-TO263-7-12 SOT-23-3 -
Tensione drain-source (Vdss) 1700 V 1200 V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 1000 V 312 pF @ 800 V - -
Vgs (th) (max) a Id 5.7V @ 1.1mA 5.7V @ 1.6mA - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 12 V 9.4 nC @ 18 V - -
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) 83W (Tc) - -
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V, 15V - - -

IMBF170R1K0M1XTMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IMBF170R1K0M1XTMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IMBF170R1K0M1XTMA1 - Infineon Technologies.

PCN Altro
Mult Dev DC Chg 5/May/2021.pdf

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