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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloIDW30G65C5XKSA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IDW30G65C5XKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IDW30G65C5XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IDW30G65C5XKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IDW30G65C5XKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5605

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IDW30G65C5XKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IDW30G65C5XKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IDW30G65C5XKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 30 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 220 µA @ 650 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 30A  
Capacità a Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base IDW30G65  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IDW30G65C5XKSA1

Proprietà del prodotto IDW30G65C5XKSA1 IDW40E65D1 IDW40E65D2 IDW30E65D1
Modello di prodotti IDW30G65C5XKSA1 IDW40E65D1 IDW40E65D2 IDW30E65D1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacità a Vr, F 860pF @ 1V, 1MHz - - -
Pacchetto Tube Bulk Bulk Bulk
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - raddrizzata media (Io) 30A 80A 80A 60A
Corrente - Dispersione inversa a Vr 220 µA @ 650 V 40 µA @ 650 V 40 µA @ 650 V 40 µA @ 650 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 30 A 1.7 V @ 40 A 2.3 V @ 40 A 1.7 V @ 30 A
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3 PG-TO247-3-1 PG-TO247-3 PG-TO247-3-1
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie CoolSiC™+ - IDW -
Numero di prodotto di base IDW30G65 - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Standard Standard
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 129 ns 75 ns 115 ns

IDW30G65C5XKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IDW30G65C5XKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IDW30G65C5XKSA1 - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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