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IDK06G65C5XTMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IDK06G65C5XTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IDK06G65C5XTMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 6A TO263-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IDK06G65C5XTMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5320

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IDK06G65C5XTMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IDK06G65C5XTMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IDK06G65C5XTMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 6 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-2  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1.1 mA @ 650 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 6A  
Capacità a Vr, F 190pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base IDK06G65  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IDK06G65C5XTMA1

Proprietà del prodotto IDK06G65C5XTMA1 BAS21T EP04RA60 R5010815XXWA
Modello di prodotti IDK06G65C5XTMA1 BAS21T EP04RA60 R5010815XXWA
fabbricante Infineon Technologies Yangjie Technology KYOCERA AVX Powerex Inc.
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -65°C ~ 200°C
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-2 SOT-523 SOD-123 DO-205AA (DO-8)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Stud Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Numero di prodotto di base IDK06G65 BAS21 - R5010815
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 50 ns 40 ns 7 µs
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1.1 mA @ 650 V 100 nA @ 250 V 10 µA @ 600 V 30 mA @ 800 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8 V @ 6 A 1 V @ 100 mA 1.32 V @ 400 mA -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Standard Standard, Reverse Polarity
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 250 V 600 V 800 V
Serie CoolSiC™+ - - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 6A 200mA 400mA 150A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SOT-523 SOD-123 DO-205AA, DO-8, Stud
Capacità a Vr, F 190pF @ 1V, 1MHz 5pF @ 0V, 1MHz - -

IDK06G65C5XTMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IDK06G65C5XTMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IDK06G65C5XTMA1 - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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