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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliFP25R12W2T4BOMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FP25R12W2T4BOMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
FP25R12W2T4BOMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-FP25R12W2T4BOMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MOD 1200V 39A 175W
Pacchetto
Module
Scheda dati
FP25R12W2T4BOMA1.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 505

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FP25R12W2T4BOMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - FP25R12W2T4BOMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - FP25R12W2T4BOMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.25V @ 15V, 25A  
Contenitore dispositivo fornitore Module  
Serie -  
Potenza - Max 175 W  
Contenitore / involucro Module  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC Yes  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 1.45 nF @ 25 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1 mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 39 A  
Configurazione Three Phase Inverter  
Numero di prodotto di base FP25R12  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Not Applicable
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies FP25R12W2T4BOMA1

Proprietà del prodotto FP25R12W2T4BOMA1 FP25R12W2T4-B1 FP25R12W1T4 FP25R12W1T7
Modello di prodotti FP25R12W2T4BOMA1 FP25R12W2T4-B1 FP25R12W1T4 FP25R12W1T7
fabbricante Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) INFIENON Infineon
Potenza - Max 175 W - - -
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.25V @ 15V, 25A - - -
Tipo montaggio Chassis Mount - - -
Serie - - - -
Numero di prodotto di base FP25R12 - - -
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 1.45 nF @ 25 V - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 39 A - - -
Contenitore / involucro Module - - -
Contenitore dispositivo fornitore Module - - -
Tipo IGBT - - - -
Ingresso Standard - - -
Configurazione Three Phase Inverter - - -
Termistore NTC Yes - - -
Pacchetto Tray - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 1 mA - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V - - -

FP25R12W2T4BOMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FP25R12W2T4BOMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per FP25R12W2T4BOMA1 - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Supply Chg 10/Dec/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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