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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaCYDM064B08-55BVXI
CYDM064B08-55BVXI Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

CYDM064B08-55BVXI - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
CYDM064B08-55BVXI
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-CYDM064B08-55BVXI
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
Pacchetto
100-VFBGA
Scheda dati
CYDM064B08-55BVXI.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 6010

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CYDM064B08-55BVXI
Specifiche tecniche Infineon Technologies - CYDM064B08-55BVXI, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - CYDM064B08-55BVXI

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 55ns  
Tensione di alimentazione - 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V  
Tecnologia SRAM - Dual Port, MoBL  
Contenitore dispositivo fornitore 100-VFBGA (6x6)  
Serie MoBL®  
Contenitore / involucro 100-VFBGA  
Pacchetto Tray  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 64Kbit  
Organizzazione di memoria 8K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria SRAM  
Numero di prodotto di base CYDM  
Tempo di accesso 55 ns  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies CYDM064B08-55BVXI

Proprietà del prodotto CYDM064B08-55BVXI CYDM128A16-55BVXI CYDM256B16-55BVXI CYDM128B16-55BVXI
Modello di prodotti CYDM064B08-55BVXI CYDM128A16-55BVXI CYDM256B16-55BVXI CYDM128B16-55BVXI
fabbricante Infineon Technologies Cypress Semiconductor Corp Infineon Technologies Infineon Technologies
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Contenitore / involucro 100-VFBGA 100-VFBGA 100-VFBGA 100-VFBGA
Numero di prodotto di base CYDM CYDM CYDM CYDM
Pacchetto Tray Bulk Tray Tray
Tipo di memoria Volatile Volatile Volatile Volatile
Serie MoBL® MoBL® MoBL® MoBL®
Formato di memoria SRAM SRAM SRAM SRAM
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Tempo di accesso 55 ns 55 ns 55 ns 55 ns
Tensione di alimentazione - 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Dimensione della memoria 64Kbit 128Kbit 256Kbit 128Kbit
Organizzazione di memoria 8K x 8 8K x 16 16K x 16 8K x 16
Tecnologia SRAM - Dual Port, MoBL SRAM - Dual Port, Asynchronous SRAM - Dual Port, MoBL SRAM - Dual Port, MoBL
Contenitore dispositivo fornitore 100-VFBGA (6x6) 100-VFBGA (6x6) 100-VFBGA (6x6) 100-VFBGA (6x6)
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 55ns 55ns 55ns 55ns

CYDM064B08-55BVXI Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CYDM064B08-55BVXI PDF e la documentazione Infineon Technologies per CYDM064B08-55BVXI - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019.pdf Ship Label REV.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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