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BUZ73AL Image
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BUZ73AL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BUZ73AL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BUZ73AL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
BUZ73AL.pdf
In magazzino: 3610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BUZ73AL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BUZ73AL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BUZ73AL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BUZ73AL

Proprietà del prodotto BUZ73AL BUZ73A BUZ72A BUZ80A
Modello di prodotti BUZ73AL BUZ73A BUZ72A BUZ80A
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) - 3.6A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V - 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V - 800 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3 - TO-220AB
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 4V @ 1mA - 4V @ 1mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 5V 600mOhm @ 4.5A, 10V - 3Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 40W (Tc) - 100W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V - 1350 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 - TO-220-3
Serie SIPMOS® SIPMOS® * SIPMOS®

BUZ73AL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUZ73AL PDF e la documentazione Infineon Technologies per BUZ73AL - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Schede tecniche
BUZ73AL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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