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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBTS282Z E3180A
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BTS282Z E3180A - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BTS282Z E3180A
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BTS282Z E3180A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Scheda dati
BTS282Z.pdf
In magazzino: 3910

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BTS282Z E3180A
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BTS282Z E3180A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BTS282Z E3180A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-7-180  
Serie TEMPFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 49 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BTS282Z E3180A

Proprietà del prodotto BTS282Z E3180A BTS244Z E3062A BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z E3230
Modello di prodotti BTS282Z E3180A BTS244Z E3062A BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z E3230
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 35A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 240µA 2V @ 130µA 2V @ 240µA 2V @ 240µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-7-180 PG-TO220-5-62 PG-TO220-7-12 P-TO220-7-230
Tensione drain-source (Vdss) 49 V 55 V 49 V 49 V
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 170W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-220-7 TO-220-7
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

BTS282Z E3180A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BTS282Z E3180A PDF e la documentazione Infineon Technologies per BTS282Z E3180A - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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