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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSZ084N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSZ084N08NS5ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSZ084N08NS5ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSZ084N08NS5ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 64840

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSZ084N08NS5ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSZ084N08NS5ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSZ084N08NS5ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 31µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSZ084  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSZ084N08NS5ATMA1

Proprietà del prodotto BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ0702LSATMA1
Modello di prodotti BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ0702LSATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 31µA 3.1V @ 105µA 3.1V @ 105µA 2.3V @ 36µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 40 V 4785 pF @ 15 V 4785 pF @ 15 V 3100 pF @ 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8 PG-TDSON-8 FL
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 30 V 30 V 60 V
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V 8.6mOhm @ 20A, 10V 8.6mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base BSZ084 BSZ086 BSZ086 BSZ0702
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 13.5A (Ta), 40A (Tc) 13.5A (Ta), 40A (Tc) 17A (Ta), 40A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 57.5 nC @ 10 V 57.5 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V

BSZ084N08NS5ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSZ084N08NS5ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSZ084N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies.

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