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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSZ060NE2LSATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSZ060NE2LSATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSZ060NE2LSATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSZ060NE2LSATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 138750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSZ060NE2LSATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSZ060NE2LSATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSZ060NE2LSATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 26W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSZ060  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSZ060NE2LSATMA1

Proprietà del prodotto BSZ060NE2LSATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 BSZ0602LSATMA1 BSZ058N03MSG
Modello di prodotti BSZ060NE2LSATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 BSZ0602LSATMA1 BSZ058N03MSG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 18 nC @ 4.5 V 40 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V 5.8mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 40A (Tc) 15A (Ta), 40A (Tc) 13A (Ta), 40A (Tc) 14A (Ta), 40A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.3V @ 36µA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 26W (Tc) 2.1W (Ta), 45W (Tc) 69W (Tc) 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 PG-TDSON-8 FL PG-TSDSON-8
Numero di prodotto di base BSZ060 BSZ058 BSZ0602 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 12 V 2400 pF @ 15 V 2340 pF @ 40 V 3100 pF @ 15 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 80 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

BSZ060NE2LSATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSZ060NE2LSATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSZ060NE2LSATMA1 - Infineon Technologies.

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