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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSZ019N03LSATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSZ019N03LSATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSZ019N03LSATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSZ019N03LSATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSZ019N03LSATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSZ019N03LSATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSZ019N03LSATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta). 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSZ019  

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Proprietà del prodotto BSZ019N03LSATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ028N04LSATMA1
Modello di prodotti BSZ019N03LSATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ028N04LSATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 20A, 10V 2.4mOhm @ 20A, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 40 V 40 V 40 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta). 40A (Tc) 24A (Ta), 40A (Tc) 25A (Ta), 40A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 75W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Numero di prodotto di base BSZ019 BSZ024 BSZ021 BSZ028
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 6 OptiMOS™ 6 OptiMOS™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V 1800 pF @ 20 V 2700 pF @ 20 V 2300 pF @ 20 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

BSZ019N03LSATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSZ019N03LSATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSZ019N03LSATMA1 - Infineon Technologies.

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