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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSS83PH6327XTSA1
BSS83PH6327XTSA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSS83PH6327XTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSS83PH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSS83PH6327XTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
BSS83PH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 346900

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSS83PH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSS83PH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSS83PH6327XTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 80µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 330mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 78 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.57 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 330mA (Ta)  
Numero di prodotto di base BSS83PH6327  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSS83PH6327XTSA1

Proprietà del prodotto BSS83PH6327XTSA1 BSS84-7 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83PE6327
Modello di prodotti BSS83PH6327XTSA1 BSS84-7 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83PE6327
fabbricante Infineon Technologies Diodes Incorporated Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 50 V 20 V 60 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23 SOT-23-3 PG-SOT323 PG-SOT23
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V 1.8V, 2.5V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base BSS83PH6327 BSS84 BSS816 -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta) 300mW (Ta) 500mW (Ta) 360mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 330mA (Ta) 130mA (Ta) 1.4A (Ta) 330mA (Ta)
Serie SIPMOS® - OptiMOS™ SIPMOS®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 78 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 180 pF @ 10 V 78 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.57 nC @ 10 V - 0.6 nC @ 2.5 V 3.57 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 330mA, 10V 10Ohm @ 100mA, 5V 160mOhm @ 1.4A, 2.5V 2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 80µA 2V @ 1mA 750mV @ 3.7µA 2V @ 80µA

BSS83PH6327XTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSS83PH6327XTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSS83PH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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