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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSS806NH6327XTSA1
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BSS806NH6327XTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSS806NH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSS806NH6327XTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
BSS806NH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 396920

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSS806NH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSS806NH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSS806NH6327XTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 750mV @ 11µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 2.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 2.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base BSS806  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1

Proprietà del prodotto BSS806NH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83 BSS806NEH6327
Modello di prodotti BSS806NH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83 BSS806NEH6327
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta) 1.4A (Ta) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 2.5 V 0.6 nC @ 2.5 V - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Rds On (max) a Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 2.5V 160mOhm @ 1.4A, 2.5V - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23 PG-SOT323 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vgs (th) (max) a Id 750mV @ 11µA 750mV @ 3.7µA - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 10 V 180 pF @ 10 V - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Numero di prodotto di base BSS806 BSS816 - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V 1.8V, 2.5V - -
Caratteristica FET - - - -

BSS806NH6327XTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSS806NH6327XTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSS806NH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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