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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSS214NWH6327XTSA1
BSS214NWH6327XTSA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSS214NWH6327XTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSS214NWH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSS214NWH6327XTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
BSS214NWH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 440890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSS214NWH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSS214NWH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSS214NWH6327XTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 3.7µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT323  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base BSS214  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSS214NWH6327XTSA1

Proprietà del prodotto BSS214NWH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 BSS214NWH6327 BSS215P H6327
Modello di prodotti BSS214NWH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 BSS214NWH6327 BSS215P H6327
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.5 V 0.8 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 11µA 1.2V @ 3.7µA 600mV @ 11µA
Numero di prodotto di base BSS214 BSS215 - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT323 PG-SOT23 PG-SOT323-3-2 PG-SOT23-3-5
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™P2
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V 346 pF @ 15 V 143 pF @ 10 V 346 pF @ 15 V

BSS214NWH6327XTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSS214NWH6327XTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSS214NWH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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