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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSO211PH
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSO211PH - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSO211PH
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSO211PH
Modello ECAD
Descrizione delle parti
3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT,
Descrizione dettagliata
Pacchetto
532-BFBGA, FCBGA
Scheda dati
BSO211PH.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 150480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSO211PH
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSO211PH, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSO211PH

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 532-FCBGA (23x23)  
Serie OptiMOS™ P  
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 4.6A, 4.5V  
Potenza - Max 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro 532-BFBGA, FCBGA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1095pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSO211  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSO211PH

Proprietà del prodotto BSO211PH BSO215C BSO211P BSO200P03SH
Modello di prodotti BSO211PH BSO215C BSO211P BSO200P03SH
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base BSO211 BSO215 BSO211 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1095pF @ 15V 246pF @ 25V 920pF @ 15V -
Potenza - Max 1.6W (Ta) 2W 2W -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk -
Contenitore / involucro 532-BFBGA, FCBGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 11.5nC @ 10V 23.9nC @ 4.5V -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 25µA 2V @ 10µA 1.2V @ 25µA -
Serie OptiMOS™ P SIPMOS® OptiMOS™ -
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 4.6A, 4.5V 100mOhm @ 3.7A, 10V 67mOhm @ 4.7A, 4.5V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 3.7A 4.7A -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) -
Contenitore dispositivo fornitore 532-FCBGA (23x23) 8-SO PG-DSO-8 -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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