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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSO150N03MDGXUMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSO150N03MDGXUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSO150N03MDGXUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSO150N03MDGXUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
BSO150N03MDGXUMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 75330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSO150N03MDGXUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSO150N03MDGXUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSO150N03MDGXUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 9.3A, 10V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSO150  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSO150N03MDGXUMA1

Proprietà del prodotto BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO150N03 BSO200N3S
Modello di prodotti BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO150N03 BSO200N3S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies INFIEON
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 13µA 2V @ 25µA -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A 6.6A 7.6A -
Numero di prodotto di base BSO150 BSO200 BSO150 -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Potenza - Max 1.4W 1.4W 1.4W -
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 9.3A, 10V 20mOhm @ 7.9A, 10V 15mOhm @ 9.1A, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V 1010pF @ 15V 1890pF @ 15V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 8nC @ 5V 15nC @ 5V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -

BSO150N03MDGXUMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSO150N03MDGXUMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSO150N03MDGXUMA1 - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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