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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSL202SNH6327XTSA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSL202SNH6327XTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSL202SNH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSL202SNH6327XTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
BSL202SNH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 116950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSL202SNH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSL202SNH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSL202SNH6327XTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 30µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSOP6-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1147 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base BSL202  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSL202SNH6327XTSA1

Proprietà del prodotto BSL202SNH6327XTSA1 BSL202SNL6327 BSL207SP BSL207SP L6327
Modello di prodotti BSL202SNH6327XTSA1 BSL202SNL6327 BSL207SP BSL207SP L6327
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta) 7.5A (Ta) 6A (Ta) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1147 pF @ 10 V 1147 pF @ 10 V 1007 pF @ 15 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 30µA 1.2V @ 30µA 1.2V @ 40µA -
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 4.5V 22mOhm @ 7.5A, 4.5V 41mOhm @ 6A, 4.5V -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6-6 PG-TSOP6-6 -
Numero di prodotto di base BSL202 - - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™2 OptiMOS™ -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) -

BSL202SNH6327XTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSL202SNH6327XTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSL202SNH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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Mult Dev Packing Box Chg 18/Oct/2019.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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