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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC889N03MSG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC889N03MSG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC889N03MSG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC889N03MSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC889N03MSG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 132810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC889N03MSG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC889N03MSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC889N03MSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8  
Serie OptiMOS™ 3  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.1mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 44A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC889N03MSG

Proprietà del prodotto BSC889N03MSG BSC886N03LSG BSC884N03MSG BSC889N03LSG
Modello di prodotti BSC889N03MSG BSC886N03LSG BSC884N03MSG BSC889N03LSG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 34 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 44A (Tc) 13A (Ta), 65A (Tc) 17A (Ta), 85A (Tc) 13A (Ta), 45A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 9.1mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 4.5mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie OptiMOS™ 3 OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V 2100 pF @ 15 V 2700 pF @ 15 V 1300 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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