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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC350N20NSFDATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC350N20NSFDATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC350N20NSFDATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC350N20NSFDATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC350N20NSFDATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23778

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC350N20NSFDATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC350N20NSFDATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC350N20NSFDATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC350  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC350N20NSFDATMA1

Proprietà del prodotto BSC350N20NSFDATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1
Modello di prodotti BSC350N20NSFDATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base BSC350 BSC340 BSC440 BSC320
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 100 V 756 pF @ 40 V 810 pF @ 50 V 2350 pF @ 100 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 90µA 3.5V @ 12µA 3.5V @ 12µA 4V @ 90µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V 10.8 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 35A, 10V 34mOhm @ 12A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 80 V 100 V 200 V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 29W (Tc) 125W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 7A (Ta), 23A (Tc) 5.3A (Ta), 18A (Tc) 36A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

BSC350N20NSFDATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC350N20NSFDATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC350N20NSFDATMA1 - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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