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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC252N10NSFGATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC252N10NSFGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC252N10NSFGATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC252N10NSFGATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 49830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC252N10NSFGATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 43µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 25.2mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC252  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1

Proprietà del prodotto BSC252N10NSFGATMA1 BSC205N10LSG BSC320N20NS3GATMA1 BSC240N12NS3G
Modello di prodotti BSC252N10NSFGATMA1 BSC205N10LSG BSC320N20NS3GATMA1 BSC240N12NS3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) 76W (Tc) 125W (Tc) 66W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 25.2mOhm @ 20A, 10V 20.5mOhm @ 45A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V 24mOhm @ 31A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 43µA 2.4V @ 43µA 4V @ 90µA 4V @ 35µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 50 V 2900 pF @ 50 V 2350 pF @ 100 V 1900 pF @ 60 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 40A (Tc) 7.4A (Ta), 45A (Tc) 36A (Tc) 37A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 200 V 120 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base BSC252 - BSC320 -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

BSC252N10NSFGATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC252N10NSFGATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC252N10NSFGATMA1 - Infineon Technologies.

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Multiple Changes 09/Jul/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site Update 26/Jul/2016.pdf

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