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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC0924NDIATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC0924NDIATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC0924NDIATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC0924NDIATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 54480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC0924NDIATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC0924NDIATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC0924NDIATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TISON-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A, 32A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base BSC0924  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC0924NDIATMA1

Proprietà del prodotto BSC0924NDIATMA1 BSC093N15NS5 E8196 BSC093N04LSGATMA1 BSC0911ND
Modello di prodotti BSC0924NDIATMA1 BSC093N15NS5 E8196 BSC093N04LSGATMA1 BSC0911ND
fabbricante Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA - 2V @ 14µA -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 15V - 1900 pF @ 20 V -
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive - - -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Potenza - Max 1W - - -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN -
Tensione drain-source (Vdss) 30V - 40 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A, 32A - 13A (Ta), 49A (Tc) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TISON-8 - PG-TDSON-8-5 -
Serie OptiMOS™ - OptiMOS™ -
Numero di prodotto di base BSC0924 - BSC093 -
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V - 9.3mOhm @ 40A, 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V - 24 nC @ 10 V -

BSC0924NDIATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC0924NDIATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC0924NDIATMA1 - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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