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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC090N03MSG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC090N03MSG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC090N03MSG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC090N03MSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC090N03MSG.pdf
In magazzino: 3860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC090N03MSG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC090N03MSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC090N03MSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™ 3  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 48A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC090N03MSG

Proprietà del prodotto BSC090N03MSG BSC0906NSATMA1 BSC0908NS BSC091N03MSCG
Modello di prodotti BSC090N03MSG BSC0906NSATMA1 BSC0908NS BSC091N03MSCG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V 870 pF @ 15 V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V 4.5mOhm @ 30A, 10V - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Serie OptiMOS™ 3 OptiMOS™ - *
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 48A (Tc) 18A (Ta), 63A (Tc) - -
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V - -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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