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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC0802LSATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC0802LSATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC0802LSATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC0802LSATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC0802LSATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26079

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC0802LSATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC0802LSATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC0802LSATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 115µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-7  
Serie OptiMOS™ 5  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC0802  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC0802LSATMA1

Proprietà del prodotto BSC0802LSATMA1 BSC080N03MSG BSC079N03SG BSC080N12LSGATMA1
Modello di prodotti BSC0802LSATMA1 BSC080N03MSG BSC079N03SG BSC080N12LSGATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 100A (Tc) - 14.6A (Ta), 40A (Tc) 12A (Ta), 99A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-7 - PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V - 17 nC @ 5 V 79 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 115µA - 2V @ 30µA 2.4V @ 112µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 50 V - 2230 pF @ 15 V 7400 pF @ 60 V
Serie OptiMOS™ 5 - OptiMOS™ OptiMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V - 7.9mOhm @ 40A, 10V 8mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc) - 2.8W (Ta), 60W (Tc) 156W (Tc)
Numero di prodotto di base BSC0802 - - -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - 30 V 120 V
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount

BSC0802LSATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC0802LSATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC0802LSATMA1 - Infineon Technologies.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf

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