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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC070N10NS5SCATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC070N10NS5SCATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC070N10NS5SCATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC070N10NS5SCATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
BSC070N10NS5SCATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29305

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC070N10NS5SCATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC070N10NS5SCATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC070N10NS5SCATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-WSON-8-2  
Serie OptiMOS™ 5  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 100W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 82A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC070  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC070N10NS5SCATMA1

Proprietà del prodotto BSC070N10NS5SCATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10LS5ATMA1
Modello di prodotti BSC070N10NS5SCATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10LS5ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 100W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 114W (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie OptiMOS™ 5 OptiMOS™ OptiMOS™ -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore PG-WSON-8-2 PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-1 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 50µA 3.8V @ 36µA 3.5V @ 75µA -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V 2100 pF @ 40 V 4000 pF @ 50 V -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 80 V 100 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Numero di prodotto di base BSC070 BSC072 BSC070 -
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V 7.2mOhm @ 37A, 10V 7mOhm @ 50A, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 82A (Tc) 74A (Tc) 90A (Tc) -

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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