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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC0502NSIATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC0502NSIATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC0502NSIATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC0502NSIATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 67630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC0502NSIATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC0502NSIATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC0502NSIATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 43W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC0502  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC0502NSIATMA1

Proprietà del prodotto BSC0502NSIATMA1 BSC050N03LSGATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC0503NSIATMA1
Modello di prodotti BSC0502NSIATMA1 BSC050N03LSGATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC0503NSIATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-6
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 50A, 10V 3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V 2800 pF @ 15 V 4800 pF @ 40 V 1300 pF @ 15 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 100A (Tc) 18A (Ta), 80A (Tc) 18A (Ta), 100A (Tc) 22A (Ta), 88A (Tc)
Numero di prodotto di base BSC0502 BSC050 BSC047 BSC0503
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 80 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 43W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.5V @ 90µA 2V @ 250µA

BSC0502NSIATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC0502NSIATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC0502NSIATMA1 - Infineon Technologies.

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