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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC010N04LS6ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC010N04LS6ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC010N04LS6ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC010N04LS6ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 41994

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC010N04LS6ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC010N04LS6ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC010N04LS6ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC010  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC010N04LS6ATMA1

Proprietà del prodotto BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSTATMA1
Modello di prodotti BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSTATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 20 V 6800 pF @ 20 V 5800 pF @ 12 V 9520 pF @ 20 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8 FL
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 1mOhm @ 50A, 10V 1mOhm @ 50A, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V 1mOhm @ 50A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 25 V 40 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta), 100A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc) 41A (Ta), 100A (Tc) 39A (Ta), 100A (Tc)
Numero di prodotto di base BSC010 BSC010 BSC009 BSC010
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 4.5 V 95 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 133 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 150W (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA

BSC010N04LS6ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC010N04LS6ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC010N04LS6ATMA1 - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Switch Repl 7/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Site Add 14/Dec/2020.pdf

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