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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSB012NE2LX
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSB012NE2LX - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSB012NE2LX
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSB012NE2LX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-WDSON
Scheda dati
BSB012NE2LX.pdf
In magazzino: 4510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSB012NE2LX
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSB012NE2LX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSB012NE2LX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc)  
Contenitore / involucro 3-WDSON  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 170A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSB012NE2LX

Proprietà del prodotto BSB012NE2LX BSB013NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012N03LX3G
Modello di prodotti BSB012NE2LX BSB013NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012N03LX3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON 3-WDSON
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 30 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 169 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 12 V 4400 pF @ 12 V 5852 pF @ 12 V 16900 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 170A (Tc) 36A (Ta), 163A (Tc) 170A (Tc) 39A (Ta), 180A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™ MG-WDSON-2, CanPAK M™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V

BSB012NE2LX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSB012NE2LX PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSB012NE2LX - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
BSB012NE2LX.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 06/Oct/2014.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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