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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoBCR112E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BCR112E6327HTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BCR112E6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BCR112E6327HTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
BCR112E6327HTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 705400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BCR112E6327HTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BCR112E6327HTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BCR112E6327HTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Tipo transistor NPN - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms  
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms  
Potenza - Max 200 mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 140 MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base BCR112  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1

Proprietà del prodotto BCR112E6327HTSA1 BCR112T BCR112W BCR10PNH6327
Modello di prodotti BCR112E6327HTSA1 BCR112T BCR112W BCR10PNH6327
fabbricante Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) - - -
Potenza - Max 200 mW - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V - - -
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Tipo transistor NPN - Pre-Biased - - -
Frequenza - transizione 140 MHz - - -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms - - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23 - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Numero di prodotto di base BCR112 - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA - - -

BCR112E6327HTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BCR112E6327HTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BCR112E6327HTSA1 - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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