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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciBC857SE6327
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BC857SE6327 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BC857SE6327
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BC857SE6327
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Pacchetto
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
BC857SE6327.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 1271050

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BC857SE6327
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BC857SE6327, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BC857SE6327

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 45V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Tipo transistor 2 PNP (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363  
Serie -  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 15nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base BC857  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BC857SE6327

Proprietà del prodotto BC857SE6327 BC857SH6327 BC857S BC857S
Modello di prodotti BC857SE6327 BC857SH6327 BC857S BC857S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor onsemi
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie - - - *
Tipo transistor 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual) -
Pacchetto Bulk - Bulk Bulk
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 45V 45V 45V -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 PG-SOT363-6 SC-88 (SC-70-6) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 125 @ 2mA, 5V -
Numero di prodotto di base BC857 - BC857 BC857
Corrente - Cutoff collettore (max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) -
Frequenza - transizione 250MHz 250MHz 200MHz -
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA 200mA -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA -
Potenza - Max 250mW 250mW 300mW -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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