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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBC807-40E6327
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BC807-40E6327 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BC807-40E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BC807-40E6327
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
BC807-40E6327.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BC807-40E6327
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BC807-40E6327, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BC807-40E6327

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 45 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23-3-11  
Serie -  
Potenza - Max 330 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 200MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BC807-40E6327

Proprietà del prodotto BC807-40E6327 BC807-40W BC807-40QCZ BC807-40LT3G
Modello di prodotti BC807-40E6327 BC807-40W BC807-40QCZ BC807-40LT3G
fabbricante Infineon Technologies Taiwan Semiconductor Corporation Nexperia USA Inc. onsemi
Potenza - Max 330 mW 200 mW 380 mW 300 mW
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 45 V 45 V 45 V 45 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100µA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V 250 @ 100mA, 1V 250 @ 100mA, 1V 250 @ 100mA, 1V
Frequenza - transizione 200MHz 80MHz 80MHz 100MHz
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 3-XDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23-3-11 SOT-323 DFN1412D-3 SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Tipo transistor PNP PNP - PNP

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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