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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRLR2908
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRLR2908 - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRLR2908
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRLR2908
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AUIRLR2908.pdf
In magazzino: 5320

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRLR2908
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRLR2908, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRLR2908

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 23A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier AUIRLR2908

Proprietà del prodotto AUIRLR2908 AUIRLR3110ZTRL AUIRLR3114ZTRL AUIRLR3110Z
Modello di prodotti AUIRLR2908 AUIRLR3110ZTRL AUIRLR3114ZTRL AUIRLR3110Z
fabbricante International Rectifier International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 23A, 10V 14mOhm @ 38A, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 14mOhm @ 38A, 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 25 V 3980 pF @ 25 V 3810 pF @ 25 V 3980 pF @ 25 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V - ±16V
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V 56 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 100µA 2.5V @ 100µA 2.5V @ 100µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) D-Pak D-PAK (TO-252AA) D-Pak
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 100 V 40 V 100 V
Caratteristica FET - - - -

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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