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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRLL2705TR
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRLL2705TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRLL2705TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRLL2705TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
AUIRLL2705.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRLL2705TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRLL2705TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRLL2705TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT223-4  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRLL2705TR

Proprietà del prodotto AUIRLL2705TR AUIRLL024N AUIRLR024N AUIRLL2705
Modello di prodotti AUIRLL2705TR AUIRLL024N AUIRLR024N AUIRLL2705
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 15.6 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 48 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta) 3.1A (Ta) 17A (Tc) 5.2A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT223-4 SOT-223 D-Pak SOT-223
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 45W (Tc) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V

AUIRLL2705TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRLL2705TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRLL2705TR - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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