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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFR4620TRL
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AUIRFR4620TRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFR4620TRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFR4620TRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AUIRFR4620TRL.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 16464

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFR4620TRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFR4620TRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFR4620TRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 78mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRFR4620  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFR4620TRL

Proprietà del prodotto AUIRFR4620TRL AUIRFR540ZTRL AUIRFR4615 AUIRFR4620
Modello di prodotti AUIRFR4620TRL AUIRFR540ZTRL AUIRFR4615 AUIRFR4620
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 78mOhm @ 15A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base AUIRFR4620 AUIRFR540 AUIRFR4615 AUIRFR4620
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc) 91W (Tc) 144W (Tc) 144W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V 1690 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V 1710 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 35A (Tc) 33A (Tc) 24A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 150 V 200 V
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) DPAK D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA)

AUIRFR4620TRL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFR4620TRL PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFR4620TRL - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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