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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAUIRFN8458TR
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFN8458TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFN8458TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFN8458TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
AUIRFN8458.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12791

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFN8458TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFN8458TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFN8458TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 26A, 10V  
Potenza - Max 34W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base AUIRFN8458  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFN8458TR

Proprietà del prodotto AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFN7110TR
Modello di prodotti AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFN7110TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) PQFN (5x6) TO-247AC 8-PQFN (5x6)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 60nC @ 10V 170 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base AUIRFN8458 AUIRFN8459 - AUIRFN7110
Tensione drain-source (Vdss) 40V 40V 55 V 100 V
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 26A, 10V 5.9mOhm @ 40A, 10V 8mOhm @ 59A, 10V 14.5mOhm @ 35A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Potenza - Max 34W (Tc) 50W - -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-247-3 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc) 50A 110A (Tc) 58A (Tc)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 25µA 3.9V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V 2250pF @ 25V 4000 pF @ 25 V 3050 pF @ 25 V

AUIRFN8458TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFN8458TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFN8458TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Schede tecniche
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