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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo64-2096PBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

64-2096PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
64-2096PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-64-2096PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Scheda dati
64-2096PBF.pdf
In magazzino: 5150

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 64-2096PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - 64-2096PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - 64-2096PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF2907  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies 64-2096PBF

Proprietà del prodotto 64-2096PBF APT10M07JVFR IXTX5N250 FQP3P20
Modello di prodotti 64-2096PBF APT10M07JVFR IXTX5N250 FQP3P20
fabbricante Infineon Technologies Microchip Technology IXYS onsemi
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead) ISOTOP® PLUS247™-3 TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V 21600 pF @ 25 V 8560 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Serie HEXFET® POWER MOS V® - QFET®
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±30V ±30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) - 960W (Tc) 52W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 5mA 5V @ 1mA 5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 225A (Tc) 5A (Tc) 2.8A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 100 V 2500 V 200 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 1050 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IRF2907 APT10M07 IXTX5 FQP3
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 8.8Ohm @ 2.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V

64-2096PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 64-2096PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per 64-2096PBF - Infineon Technologies.

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