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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driver2ED020I12FIXUMA1
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2ED020I12FIXUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
2ED020I12FIXUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-2ED020I12FIXUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Scheda dati
2ED020I12-FI.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12113

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2ED020I12FIXUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - 2ED020I12FIXUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - 2ED020I12FIXUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 14V ~ 18V  
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-18-2  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 20ns, 20ns  
Contenitore / involucro 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 1200 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1A, 2A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base 2ED020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies 2ED020I12FIXUMA1

Proprietà del prodotto 2ED020I12FIXUMA1 2ED020I12-F 2ED020I12FA 2ED21824S06JXUMA1
Modello di prodotti 2ED020I12FIXUMA1 2ED020I12-F 2ED020I12FA 2ED21824S06JXUMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione di alimentazione - 14V ~ 18V 0V ~ 18V 13V ~ 20V 10V ~ 20V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 20ns, 20ns - 30ns, 50ns 15ns, 15ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) - -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1A, 2A 1A, 2A 2.4A, 2.4A 2.5A, 2.5A
Serie - - - -
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Synchronous
Numero di prodotto di base 2ED020 2ED020 2ED020 2ED21824
Contenitore / involucro 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 18-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 36-BSSOP (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 1200 V 1200 V 1200 V 650 V
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V - 1.5V, 3.5V 1.1V, 1.7V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Frequenza di ingresso 2 2 2 1
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-18-2 PG-DSO-18-2 PG-DSO-36 PG-DSO-14-49
Tipo di ingresso Inverting Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting

2ED020I12FIXUMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2ED020I12FIXUMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per 2ED020I12FIXUMA1 - Infineon Technologies.

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