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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driver1EDN8511BXUSA1
1EDN8511BXUSA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1EDN8511BXUSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
1EDN8511BXUSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-1EDN8511BXUSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
1EDN751x, 1EDN851x.pdf
1EDN751x, 1EDN851x.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 84640

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 1EDN8511BXUSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - 1EDN8511BXUSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - 1EDN8511BXUSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 8V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23-6-2  
Serie EiceDriver™  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 6.5ns, 4.5ns  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 1.2V, 1.9V  
Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting  
Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge, Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4A, 8A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base 1EDN8511  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies 1EDN8511BXUSA1

Proprietà del prodotto 1EDN8511BXUSA1 1EDN7512BXTSA1 1EDN7550B 1EDN8511B
Modello di prodotti 1EDN8511BXUSA1 1EDN7512BXTSA1 1EDN7550B 1EDN8511B
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT23-6-2 PG-SOT23-5-1 PG-SOT23-6-3 PG-SOT23-6-2
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 4A, 8A 4A, 8A 4A, 8A 4A, 8A
Numero di prodotto di base 1EDN8511 1EDN7512 1EDN7550 1EDN8511
Frequenza di ingresso 1 1 2 2
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tempo di salita / scadenza (Typ) 6.5ns, 4.5ns 6.5ns, 4.5ns 6.5ns, 4.5ns 6.5ns, 4.5ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Contenitore / involucro SOT-23-6 SC-74A, SOT-753 SOT-23-6 SOT-23-6
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Single Single Single
Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Serie EiceDriver™ EiceDriver™ EiceDriver™ EiceDriver™
Tensione logica - VIL, VIH 1.2V, 1.9V - - 1.2V, 1.9V
Tensione di alimentazione - 8V ~ 20V 4.5V ~ 20V 4.5V ~ 20V 4.5V ~ 20V
Configurazione guidata Half-Bridge, Low-Side Low-Side High-Side and Low-Side Low-Side

1EDN8511BXUSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1EDN8511BXUSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per 1EDN8511BXUSA1 - Infineon Technologies.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021.pdf
Foglio dati HTML
1EDN751x, 1EDN851x.pdf
Schede tecniche
1EDN751x, 1EDN851x.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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