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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matrici2N5796
Central Semiconductor Corp
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N5796 - Central Semiconductor Corp

fabbricante Modello di prodotti
2N5796
fabbricante
Central Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-2N5796
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-78-6 Metal Can
Scheda dati
Dual Transistors TO-78 Case 1.pdf
In magazzino: 3840

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N5796
Specifiche tecniche Central Semiconductor Corp - 2N5796, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Central Semiconductor Corp - 2N5796

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Central Semiconductor  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic -  
Tipo transistor 2 PNP (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-78-6  
Serie -  
Potenza - Max 600mW  
Contenitore / involucro TO-78-6 Metal Can  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 200MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 600mA  
Numero di prodotto di base 2N579  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Central Semiconductor Corp 2N5796

Proprietà del prodotto 2N5796 2N5794U 2N5794U 2N5796
Modello di prodotti 2N5796 2N5794U 2N5794U 2N5796
fabbricante Central Semiconductor Corp TT Electronics/Optek Technology Microchip Technology Microchip Technology
Frequenza - transizione 200MHz - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic - 900mV @ 30mA, 300mA 900mV @ 30mA, 300mA 1.6V @ 50mA, 500mA
Potenza - Max 600mW 600mW 500mW 500mW
Numero di prodotto di base 2N579 2N5794 2N5794 2N579
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Corrente - collettore (Ic) (max) 600mA 600mA 600mA 600mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60V 40V 40V 60V
temperatura di esercizio - -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo transistor 2 PNP (Dual) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual)
Contenitore / involucro TO-78-6 Metal Can 6-CLCC 6-SMD, No Lead TO-78-6 Metal Can
Serie - - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) - 10µA (ICBO) 10µA (ICBO) 10µA (ICBO)
Contenitore dispositivo fornitore TO-78-6 6-CLCC U TO-78-6
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole

2N5796 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N5796 PDF e la documentazione Central Semiconductor Corp per 2N5796 - Central Semiconductor Corp.

Informazioni ambientali
RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 17/Jan/2017.pdf
Schede tecniche
Dual Transistors TO-78 Case 1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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